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這不僅意味著安森美將得到300mm晶圓制造和研發(fā)專業(yè)團(tuán)隊(duì),協(xié)助將其晶圓制程由200mm升級(jí)成300mm。同時(shí),安森美也能立即獲得高階CMOS產(chǎn)品制造能力,包含45nm和65nm的制程技術(shù),這些制程技術(shù)將奠定安森美未來的技術(shù)研發(fā)基礎(chǔ)。

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SAMSUNG6DDR3DDRIII量大從優(yōu)



在2022年年底格芯將把Fab 10的擁有權(quán)轉(zhuǎn)讓給安森美。目前Fab 10是制造和ASIC客戶的90/65/45/32 22/22/14nm邏輯平臺(tái)的所在地,近在RF SOI和矽光子技術(shù)領(lǐng)域建立了新的功能,包括利用90nm和45nm技術(shù)的矽光子產(chǎn)線。格芯將繼續(xù)投資新加坡和伯靈頓的200mm設(shè)施,以提高在射頻、嵌入式儲(chǔ)存體和類比混合號(hào)方面的領(lǐng)X地位。

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