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催化燃燒廢氣處理設(shè)備系統(tǒng)特點： 1、催化燃燒采用RCO工藝凈化有機廢氣，可同時去除多種有機污染物，具有工藝簡單、設(shè)備緊湊、運行可靠等優(yōu)點； 2、催化燃燒設(shè)備具有凈化率高，一般均可達95%以上； 3、催化燃燒設(shè)備具有運行費用低的優(yōu)點，其熱回收率一般可達95%以上； 4、整個過程無廢水產(chǎn)生，凈化過程不產(chǎn)生二次污染； 5、催化燃燒RCO凈化設(shè)備可與烘箱配套使用，凈化后的氣體直接回用到烘箱加熱設(shè)備，達到節(jié)能減排的目的； 6、催化燃燒設(shè)有5道裝置，杜絕事故發(fā)生； 7、催化燃燒蓄熱系統(tǒng)采用加熱系統(tǒng)分段工作，自動跟蹤溫度并內(nèi)置蓄熱裝置，節(jié)能省電；
光催化是常溫深度反應技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理設(shè)備。 從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
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