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OC廢氣處理設備從理論上講,只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能,就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴,該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物,如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點,具體研究中可根據(jù)需要選用,如CdS半導體帶隙能較小,跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能,可以很好地利用自然光能,但它容易發(fā)生光腐蝕,使用壽命有限。相對而言,Ti02的綜合性能較好,是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。


催化燃燒廢氣處理設備。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔,被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化,其他情況下需要作相應的工藝調(diào)整。 催化燃燒廢氣處理設備 根據(jù)狀態(tài)、溫度和離子密度,等離子體通??梢苑譃楦邷氐入x子體和低溫等離子體(包子體和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電離度接近1,各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學平衡狀態(tài),它主要應用在受控熱核反應研究方面。而低溫等離子體則學非平衡狀態(tài),各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti),可達104K以上,而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300~500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。



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