隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展進(jìn)步，化合物半導(dǎo)體材料InP出來(lái)的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。熔體的化學(xué)配比能夠影響晶部缺陷，從而決定著材料的性質(zhì)。在富磷條件下制備InP單晶材料，更有利于實(shí)現(xiàn)非摻雜InP的半絕緣特性。而在富磷熔體中進(jìn)行InP單晶生長(zhǎng)時(shí)，單晶錠內(nèi)產(chǎn)生大量的氣孔，嚴(yán)重影響了材料的性能。 　　本文采用Huber腐蝕法和金相顯微鏡對(duì)晶片的位錯(cuò)密度進(jìn)行統(tǒng)計(jì)；使用透射偏振差分譜對(duì)晶片進(jìn)行熱應(yīng)力測(cè)試。非電阻率測(cè)量和光致發(fā)光譜結(jié)果表明。熱處理NM400耐磨鋼板過(guò)程常遇見四種現(xiàn)象一、過(guò)熱現(xiàn)象熱處理NM400耐磨鋼板的過(guò)程中，加熱過(guò)熱易導(dǎo)致奧氏體晶粒的，使零件的機(jī)械性能下降。 　　1、一般過(guò)熱：加熱溫度過(guò)高或在高溫下保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，引起奧氏體晶粒粗化稱為過(guò)熱。的奧氏體晶粒會(huì)導(dǎo)致鋼的強(qiáng)韌性降低，脆性轉(zhuǎn)變溫度升高，增加淬火時(shí)的變形開裂傾向。而導(dǎo)致過(guò)熱的原因是爐溫儀表失控或混料(常為不懂工藝發(fā)生的)。