走進(jìn)真實(shí)的場(chǎng)景，感受產(chǎn)品的獨(dú)特魅力！我們的手持式超聲波局部放電檢測(cè)儀手持直流電阻測(cè)試儀24小時(shí)下單發(fā)貨視頻將帶您深入了解產(chǎn)品的每一個(gè)細(xì)節(jié)，讓您對(duì)其優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)一目了然。
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天正華意電氣設(shè)備(巢湖市分公司)是集 回路電阻測(cè)試儀研究、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性企業(yè)。我公司資金雄厚，工藝齊全、設(shè)備精良、生產(chǎn)設(shè)備先進(jìn)，檢測(cè)手段完善，有一套完整的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)體系。并擁有一批高素質(zhì)科技人員。公司的產(chǎn)品有 回路電阻測(cè)試儀等，已達(dá)30多個(gè)系列、1000多個(gè)規(guī)格。公司在國(guó)內(nèi)設(shè)有100多個(gè)銷售網(wǎng)點(diǎn)，具有完備的銷售網(wǎng)絡(luò)。
安徽巢湖手持式超聲波局部放電檢測(cè)儀依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)本儀器引用的標(biāo)準(zhǔn)主要有：DL/T500-2009電壓檢測(cè)儀使用技術(shù)條件GB/T4208-2008外殼防護(hù)等級(jí)的分類（IP代碼）GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) A: 低溫試驗(yàn)方法GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) B: 高溫試驗(yàn)方法GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) Db: 交變濕熱試驗(yàn)方法GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊試驗(yàn)方法GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(dòng) (正弦)試驗(yàn)方法GB/T17626.2-2006電磁兼容性試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度性試驗(yàn)（IEC 61000-4-2：1995）GB/T17626.3-2006電磁兼容性試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)（ IEC 61000-4-3：1995）GB/T17626.4-2008電磁兼容性 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 快速瞬變電脈沖群抗擾度試驗(yàn)（ IEC 61000-4-4：1995）GB/T17626.5-2008電磁兼容性試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)（ IEC 61000-4-5：1995）GB/T17626.11-1999電磁兼容性試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)（ IEC 61000-4-11：1994）GB/T17626.7-1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則GB/T19862-2005工業(yè)自動(dòng)化儀表絕緣電阻、絕緣強(qiáng)度技術(shù)要求和試驗(yàn)方法3、功能說明本儀器主要由主機(jī)、傳感器和電纜線組成，主機(jī)外觀如圖1：圖1 主機(jī)3.1主機(jī)內(nèi)置高速AD采集卡、TFT液晶顯示器、主處理器和鋰電池及其管理板。使用FPGA對(duì)高速采樣芯片進(jìn)行控制，如啟動(dòng)采樣、停止采樣、數(shù)據(jù)同步、高速數(shù)據(jù)存取以及數(shù)據(jù)通信。
安徽巢湖手持式超聲波局部放電檢測(cè)儀 引用標(biāo)準(zhǔn)?局部放電測(cè)量GB/T 7354?電力設(shè)備局部放電現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)則 DL/T 417?高電壓試驗(yàn)技術(shù) 部分：一般試驗(yàn)要求 GB/T 16927.1?高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分：測(cè)量系統(tǒng) GB/T 16927.2?高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第三部分: 現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的定義及要求 GB/T 16927.33. 檢測(cè)原理3.1特高頻(UHF)法檢測(cè)原理電力設(shè)備絕緣體中絕緣強(qiáng)度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)都很高，當(dāng)局部放電在很小的范圍內(nèi)發(fā)生時(shí)，擊穿過程很快，將產(chǎn)生很陡的脈沖電流，其上升時(shí)間小于1ns，并激發(fā)頻率高達(dá)數(shù)GHz 的電磁波。局部放電檢測(cè)特高頻（UHF）法基本原理是通過UHF 傳感器對(duì)電力設(shè)備中局部放電時(shí)產(chǎn)生的超高頻電磁波（300MHz ≤ f ≤ 3GHz ）信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，從而獲得局部放電的相關(guān)信息，實(shí)現(xiàn)局部放電監(jiān)測(cè)。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備情況的不同，可以采用內(nèi)置式超高頻傳感器和外置式超高頻傳感器。如圖4-1所示為特高頻檢測(cè)法基本原理示意圖。由于現(xiàn)場(chǎng)的電暈干擾主要集中300MHz 頻段以下，因此UHF 法能有效地避開現(xiàn)場(chǎng)的電暈等干擾，具有較高的靈敏度和抗干擾能力，可實(shí)現(xiàn)局部放電帶電檢測(cè)、定位以及缺陷類型識(shí)別等優(yōu)點(diǎn)。
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