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在2022年年底格芯將把Fab 10的擁有權(quán)轉(zhuǎn)讓給安森美。目前Fab 10是制造和ASIC客戶的90/65/45/32 22/22/14nm邏輯平臺(tái)的所在地，近在RF SOI和矽光子技術(shù)領(lǐng)域建立了新的功能，包括利用90nm和45nm技術(shù)的矽光子產(chǎn)線。格芯將繼續(xù)投資新加坡和伯靈頓的200mm設(shè)施，以提高在射頻、嵌入式儲(chǔ)存體和類比混合號(hào)方面的領(lǐng)X地位。
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臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，CoWoS及整合扇出型封裝（InFO）仍是2.5D IC封裝，為了讓芯片效能更強(qiáng)，芯片業(yè)花了相當(dāng)?shù)臅r(shí)間，開發(fā)體積小、功能更復(fù)雜的3D IC，這項(xiàng)技術(shù)需搭配難度更高的硅鉆孔（TSV）技術(shù)，以及晶圓薄化、導(dǎo)電材質(zhì)填孔、晶圓連接及散熱支持。
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