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【SAMSUNG6LPDDR4X量大從優(yōu)】

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安森美半導(dǎo)體總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)Keith Jackson表示，歡迎格芯Fab 10團(tuán)隊(duì)加入安森美，在邁向功率及類(lèi)比半導(dǎo)體的領(lǐng)先廠商的過(guò)程中，取得東菲什基爾300mm晶圓廠是另一個(gè)重大進(jìn)展。未來(lái)幾年，這座晶圓廠可以挹注更多產(chǎn)能，幫助功率和類(lèi)比產(chǎn)品的成長(zhǎng)、提高生產(chǎn)效率、并加速實(shí)現(xiàn)財(cái)務(wù)模型的進(jìn)程。

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基于邏輯芯片的重大技術(shù)遷移，ASML預(yù)期2019年繼續(xù)加速增長(zhǎng)。EUV正在開(kāi)始生產(chǎn) 進(jìn)節(jié)點(diǎn)，提供技術(shù)支持的主要是更的NXE：3400C EUV 掃描儀，并預(yù)計(jì)DRAM廠商也會(huì)采用。5G、汽車(chē)、人工智能和數(shù)據(jù)中心等依然驅(qū)動(dòng)著技術(shù)的進(jìn)步和長(zhǎng)期增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)第二季度營(yíng)收在25至26億歐元，其中EUV的收入在6億歐元左右，毛利率在41%至42%之間。

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臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，CoWoS及整合扇出型封裝（InFO）仍是2.5D IC封裝，為了讓芯片效能更強(qiáng)，芯片業(yè)花了相當(dāng)?shù)臅r(shí)間，開(kāi)發(fā)體積小、功能更復(fù)雜的3D IC，這項(xiàng)技術(shù)需搭配難度更高的硅鉆孔（TSV）技術(shù)，以及晶圓薄化、導(dǎo)電材質(zhì)填孔、晶圓連接及散熱支持。

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