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催化燃燒廢氣處理設備。解吸后的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應的工藝調整。 催化燃燒廢氣處理設備 根據狀態(tài)、溫度和離子密度，等離子體通?？梢苑譃楦邷氐入x子體和低溫等離子體（包子體和冷等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學平衡狀態(tài)，它主要應用在受控熱核反應研究方面。而低溫等離子體則學非平衡狀態(tài)，各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。
光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無害的產物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質燃燒，大多數生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理設備。 從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
