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化工廢氣處理設(shè)備 采用低溫等離子催化技術(shù)+納米技術(shù)，在水中產(chǎn)生大量羥基自由基氧化分解大量有機(jī)廢氣，其終生算作物是CO2、H2O和無(wú)害羧酸。氧化催化劑為貴金屬氧化物，氧化劑在催化劑的浸染下，發(fā)生氧化性*的羥基自由基（OH），這些自由基可分化幾乎所有有機(jī)物，將其所含的氫（H）和碳（C）氧化算作水和二氧化碳。除電耗、水耗外，不用耗其他原料，不帶來(lái)二次污染，無(wú)需二次措置 等離子凈化器技術(shù)處理污染物的原理為：在外加電場(chǎng)的作用下，介質(zhì)放電產(chǎn)生的大量攜能電子轟擊污染物分子，使其電離、解離和激發(fā)，然后便引發(fā)了一系列復(fù)雜的物理、化學(xué)反應(yīng)，使復(fù)雜大分子污染物轉(zhuǎn)變?yōu)楹?jiǎn)單小分子物質(zhì)，或使有毒有害物質(zhì)轉(zhuǎn)變成無(wú)害或低毒低害的物質(zhì)，從而使污染物得以降解去除。因其電離后產(chǎn)生的電子平均能量在10ev ，適當(dāng)控制反應(yīng)條件可以實(shí)現(xiàn)一般情況下難以實(shí)現(xiàn)或速度很慢的化學(xué)反應(yīng)變得十分快速。作為環(huán)境污染處理領(lǐng)域中的一項(xiàng)具有強(qiáng)潛在優(yōu)勢(shì)的高新技術(shù)，等離子體受到了相關(guān)學(xué)科界的高度關(guān)注。 定機(jī)高溫油悊廢氣經(jīng)過(guò)道連壘一級(jí)處理箱(水膜欠理)，判氣與高壓水憲充分接觸，沉滌掉音分油煳及顆粒物和初級(jí)降溫，煙氣到達(dá)熱交換器箱經(jīng)過(guò)換熱界進(jìn)一步降溫達(dá)到適合靜電工作的溫度。米煙氣經(jīng)過(guò)除霧裝置分離卓煙氣中部分水分。煙氣進(jìn)入第三級(jí)處理箱(高壓靜電集中凈化箱)深度凈化后達(dá)標(biāo)排放。


廢氣處理成套設(shè)備主要是運(yùn)用不同工藝技術(shù)，通過(guò)回收或去除減少排放尾氣的有害成分，達(dá)到保護(hù)環(huán)境、凈化空氣的一種環(huán)保設(shè)備，讓我們的環(huán)境不受到污染。吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對(duì)VOCs進(jìn)行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。 含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內(nèi)，在上升過(guò)程中與來(lái)自塔頂?shù)奈談┠媪鹘佑|，凈化后的氣體由塔頂排出。 廢氣處理成套設(shè)備 吸收了VOCs的吸收劑通過(guò)熱交換器后，進(jìn)入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過(guò)溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過(guò)冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開(kāi)汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。 在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí)，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢氣時(shí)，吸附的對(duì)象是氣態(tài)污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質(zhì)，多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離，此現(xiàn)附。 當(dāng)吸附進(jìn)行一段時(shí)間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時(shí)需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個(gè)過(guò)程稱為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過(guò)程，達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。



光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物完全氧化成無(wú)害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過(guò)量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理設(shè)備。 從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑,常見(jiàn)的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽(yáng)光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。




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