三星在3月下旬已宣布首次開發(fā)出第三代10nm級（1znm）8Gb雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR4。新的1znm DDR4相較于1ynm生產(chǎn)率可提高20%以上，并計(jì)劃在下半年開始量產(chǎn)1znm 8Gb DDR4，2020年供貨企業(yè)服務(wù)器和高端PC應(yīng)用的DRAM。
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EMMC
然而，隨著DRAM制程向10nm靠近，其技術(shù)難度越大，包括芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)良率、兼容性等問題。三星從2018年中開始使用18nm制程量產(chǎn)8Gb容量的服務(wù)器DRAM芯片，如今三星1xnm DRAM良率不佳，或加快1znm技術(shù)發(fā)展。
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